Combater a fraude e satisfação do cliente aumento
SanDisk tem alimentado o processo NAND menor na indústria, 15nm, o que significa que deve ser capaz de obter chips de memória flash mais de trabalho de cada pastilha de silício - e, assim, reduzir os seus custos.
Está chamando essa tecnologia "1Z", como 1X está abaixo de 20nm, e 1Y é entre isso e 15nm. Estes limites sufixo alfabético não são padrão, ea idéia da Micron de 1Y e 1Z bem poderia ser diferente da SanDisk e sua parceira Toshiba.
Tosh e SanDisk já produzem flash de 19nm (1x) batatas fritas, um avanço na geração 24nm anterior. Intel e Micron tem vindo a produzir dispositivos de 20nm. Micron tem um processo de 16nm em desenvolvimento e amostragem começou no ano passado. Samsung tem, pensamos, um processo de 19nm em produção e é obrigado a ter um processo de sub-19nm em desenvolvimento.
SanDisk diz que vai aumentar a produção de ambos os 2-bits por célula (MLC) e (TLC) de silício flash de 3-bits-por-célula, no segundo semestre deste ano. Sua veep sênior de tecnologia de memória Dr. Siva Sivaram disse que a tecnologia poderia criar "menores e mais rentáveis chips de 128 gigabits do mundo." A empresa disse que houve "nenhum sacrifício no desempenho da memória ou a confiabilidade" em a mudança para um processo de 15nm , e ele será usado em toda a sua linha de produtos, a partir de cartões SD removíveis para SSDs empresariais.
Podemos esperar de flash parceiro fundição da SanDisk Tosh a fazer o mesmo, e assim os seus clientes, tais como violino memória, deve ser capaz uso top estes minúsculos blighter pequeno flash para embalar mais capacidade em suas caixas. ®
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