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IMTF, Intel Micron Flash Technologies, uma parceria entre a Intel ea Micron, tem uma tecnologia NAND MLC 3D, que será usado para construir 10TB SSDs em dois anos.
Com 3D piscar de um molde é feito a partir de camadas de células normais ou planares 2D empilhados (por assim dizer) um por cima do outro.
A notícia veio em um webcast para investidores Intel ontem, 20 de novembro, com Rob Crooke, veep e GM do grupo de soluções de memória não-volátil da Intel, revelando o desenvolvimento:
- 32 camadas planas
- c4 bilhões pilares de interconexão entre as camadas
- 256Gbit - 32GB - de capacidade em uma matriz usando MLC (2 bits / célula) NAND
- 348Gbit - 48GB - utilizando TLC (3 bits / célula) NAND
A geometria processo não foi revelado, mas é pensado para ser 3X - 39-30nm. Além disso, se deve ou não real Intel constrói um chip 3D em si não foi decidido. O padrão parece ser que Lehi, Utah fundição da IMTF vai construí-lo.
IMTF NAND morrer
Poderíamos esperar Micron para ter acesso à mesma tecnologia.
Crooke previu 10TB SSDs em dois anos, ou seja, (nós assumimos) no final 2016 / início de 2017, e prometeu custeio disruptiva, ou seja, (mais uma vez, nós assumimos) por GB preços mais perto que de disco.
Ele disse que não poderia ser de 1 TB, produtos de 2mm de espessura do dispositivo móvel do Flash usando a tecnologia, bem como, o que sugere tablet e capacidade de armazenamento de telefone celular pode aumentar.
Outras iniciativas de flash 3D estão vindo de Hynix, Samsung e SanDisk, com a Samsung, sendo o mais avançado.
V-NAND da Samsung é usado no cartão de memória flash servidor 3.2TB SM1715 NVMe. Sua 845DC PRO SSD é a24-camada do produto V-NAND usando geometria 40 nm com chips de 128GB.
O SSD850 PRO é um produto Samsung V-NAND de 32-camada, que tem, aliás, uma garantia de 10 anos. Este produto utiliza 86Gbit morre e a tecnologia pode ser implantada como 128Gbit TLC morre.
Atualmente, a Intel tem uma vantagem grande capacidade (pelo menos em teoria). Outra geração de tecnologia NAND 3D pode ser esperado da Samsung no próximo ano, com um aumento da capacidade esperada.
Hynix vai, ele disse que começará a produzir em massa 3D NAND até o final deste ano.
SanDisk tem um processo P-BiCS usando cordas verticais de bits e não camadas planas 2D. Os produtos que usam ele pode chegar no próximo ano.
Ao todo, podemos esperar saltos substanciais em SSD e flash capacidade do cartão próximo ano, como a produção de NAND 3D torna-se mainstream. ®
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