Um SSD scorchio Fatboy: Samsung SSD850 PRO 3D V-NAND

Segurança para data centers virtualizados

Revisão Samsung tem sido no negócio de SSD por mais de dez anos. A maior parte desse tempo foi gasto entrega de unidades para os segmentos empresariais e OEM. Desde a introdução do seu primeiro drive SSD consumidor (SSD430) em 2010, que vendeu mais discos desde 12m em todo o mundo - incluindo o SSD840, primeira unidade NAND TLC do mundo.

Samsung SSD850 PRO 3D armazenamento V-NAND

Samsung tem alguma influência, isso é certo, e com a mais recente gama de unidade de consumo, o SSD850 PRO, ele tem mais uma estreia: a primeira unidade de consumo do mundo para usar o 3D V-NAND, neste caso a versão de 32-camada da tecnologia.

Para que não esqueçamos o quão rápido de memória NAND estrutura celular tem desenvolvido: em apenas 15 anos, passou de um processo de 120nm até um processo de 16nm. Ao mesmo tempo, a capacidade cresceu cem vezes.

Armazenamento SSD desenvolvimento NAND cronograma

Dito isto, a tecnologia NAND 2D Planar padrão está rapidamente se aproximando dos buffers, tanto quanto o encolhimento die está em causa. É por isso que a maioria dos principais jogadores no jogo NAND têm projetos de uma forma ou outra para o próximo grande salto no desenvolvimento NAND - NAND 3D.

Ele vem como nenhuma surpresa ao descobrir que a Samsung é o primeiro a movimentações de mercado, utilizando a nova NAND. Sua opinião sobre a idéia é que a empresa chama 3D V-NAND, ou dar-lhe o seu nome correto, 3D Vertical NAND. A pista de por que isso NAND é tão especial está no nome.

3D V-NAND cronograma de estratificação

3D V-NAND tem as células de flash empilhados em cima uns dos outros e lado a lado, por conseguinte, as três dimensões de referência. O empilhamento vertical sendo o fator mais importante que é capaz de oferecer 100 vezes a capacidade do padrão 2D Planar NAND de apenas 1/10 da mesma área. É este tipo de tecnologia que abre as portas para a única remanescente santo graal real SSDs; unidades com capacidade muito maior.

A nova tecnologia anula os constrangimentos que os fabricantes de NAND padrão esbarram como eles tentam constantemente a encolher 2D planar NAND para tamanhos cada vez menores da matriz para obter células nunca mais densas, em particular, a interferência e padronização de célula para célula.

Célula-a-célula estrutura livre de interferências

Interferência de célula para célula quando ocorre uma carga eléctrica flui para uma célula, fazendo com que uma carga semelhante a fluir para dentro de uma célula vizinha (o efeito de acoplamento). Quando isso acontece, os dados na célula vizinha fica corrompido. Esta interferência não é um problema quando o espaço entre as células é superior a 30 nm, mas como morre encolher cada vez menor, de modo que o risco de interferência cresce.

O problema com padrões é que está limitada no processo de 10 nm, mas é uma tecnologia vital para o 2D planar NAND, uma vez que permite uma maior densidade por meio do processo de fotolitografia.